一种低功耗低噪声高电源电压抑制比的电压基准源电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低功耗低噪声高电源电压抑制比的电压基准源电路，包括第一电阻、第二电阻、第一耗尽型晶体管、第二耗尽型晶体管、第三耗尽型晶体管、增强型晶体管和电容，第一电阻、第二电阻、第一耗尽型晶体管、第二耗尽型晶体管、第三耗尽型晶体管和增强型晶体管依次串联，第二电阻和电容组成RC滤波器并联在增强型晶体管漏极和源极之间。本实用新型专利技术所述电压基准源电路利用耗尽型晶体管和增强型晶体管特有的零阈值电流源和负温度系数阈值电压特性，以及RC滤波器结构实现电压参考源，特别适合应用于高性能电源管理芯片的电压参考源，结构简单，性能突出，更适合于RF领域应用的电源管理芯片的要求。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种低功耗低噪声高电源电压抑制比的电压基准源电路，包括第一电阻、第二电阻、第一耗尽型晶体管、第二耗尽型晶体管、第三耗尽型晶体管、增强型晶体管和电容，第一电阻、第二电阻、第一耗尽型晶体管、第二耗尽型晶体管、第三耗尽型晶体管和增强型晶体管依次串联，第二电阻和电容组成RC滤波器并联在增强型晶体管漏极和源极之间。本技术所述电压基准源电路利用耗尽型晶体管和增强型晶体管特有的零阈值电流源和负温度系数阈值电压特性，以及RC滤波器结构实现电压参考源，特别适合应用于高性能电源管理芯片的电压参考源，结构简单，性能突出，更适合于RF领域应用的电源管理芯片的要求。【专利说明】一种低功耗低噪声高电源电压抑制比的电压基准源电路
本技术涉及一种开关电源芯片内部的电压基准源电路，尤其涉及一种低功耗 低噪声高电源电压抑制比的电压基准源电路。
技术介绍
对于一个开关电源芯片而言，内部基准电压源的性能决定了输出电压的精度，噪 声特性，功耗大小和电源电压抑制比等特性。当今先进半导体工艺制程可以提供较多高精 度高性能的半导体器件，在设计电压基准源结构时，可以得到广泛的利用，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗低噪声高电源电压抑制比的电压基准源电路，其特征在于：包括第一电阻、第二电阻、第一耗尽型晶体管、第二耗尽型晶体管、第三耗尽型晶体管、增强型晶体管和电容，所述第一电阻的第一端为所述电压基准源电路的正极输入端，所述第一电阻的第二端与所述第一耗尽型晶体管的漏极连接，所述第一耗尽型晶体管的栅极和源极均与所述第二耗尽型晶体管的漏极连接，所述第二耗尽型晶体管的栅极和源极均与所述第三耗尽型晶体管的漏极连接，所述第三耗尽型晶体管的栅极和源极均与所述增强型晶体管的漏极、所述增强型晶体管的栅极和所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述电容的第一端连接并作为所述电压基准源电路的正极输出端，所述增...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：茹纪军，
申请(专利权)人：成都星芯微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51