一种阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法，所述阵列基板包括：衬底板和分别位于衬底板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为增强型，第二薄膜晶体管为耗尽型。由于阵列基板同时具有增强型的第一薄膜晶体管和耗尽型的第二薄膜晶体管，将这两种类型的薄膜晶体管分别设计于阵列基板的设定位置，发挥其功能特性，对比于现有技术阵列基板的单一耗尽型薄膜晶体管或单一增强型薄膜晶体管，可减少薄膜晶体管设置数量，简化电路走线，使整个阵列基板的结构大为简化，结构稳定性大大提高，阵列基板有效像素面积也得以进一步增加。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是涉及ー种阵列基板及其制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)是场效应晶体管的种类之一,主要应用于平板显示装置中。薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid CrystalDisplay,简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显不器市场占据了主导地位。AMOLED(Active Matrix Organic Light EmittingDiode,有源矩阵有机发光二极管，简称AM0LED)面板，被称为下一代显示技木，相比传统的TFT-LCD面板，具有反应速度快、对比度高、视角广等特点。氧化物半导体铟镓锌氧(InGaZn04: IGZ0)因其迁移率高、均匀性好和可在室温下制备等特点而被广泛地进行研究，以期能够替代低温多晶娃(LowTemperature Poly-silicon，简称LTPS)作为阵列基板的有源层而实现大尺寸AMOLED面板的产业化。然而，在现有技术当中，无论是TFT-IXD显示器，还是AMOLED面板，IGZO半导体作为阵列基板的有源层沟道材料，通常只単一利用其耗尽型或增强型的特性，这使得阵列基板的结构(例如时序控制电路、静电防治电路等)较为复杂，稳定性较差，并且，也会进而影响到阵列基板的有效像素面积。
技术实现思路
本专利技术提供了，用以解决现有技术中IGZO半导体作为阵列基板的有源层沟道材料，只能単一利用其耗尽型或增强型的特性，阵列基板的结构较为复杂，稳定性较差，有效像素面积不能够进ー步增加的技术问题。本专利技术阵列基板，包括衬底板和分别位于衬底板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为增强型，第二薄膜晶体管为耗尽型。其中，第一薄膜晶体管的有源层和第二薄膜晶体管的有源层材质包括氧化物半导体。优选的，所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物或铪铟锌氧化物。可选的，所述阵列基板为顶栅型或底栅型。可选的，所述阵列基板应用于TFT-IXD面板或AMOLED面板。本专利技术阵列基板的制造方法，包括在衬底板上的设定位置形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为增强型，第二薄膜晶体管为耗尽型。所述在衬底板上的设定位置形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管包括A、形成材质包括氧化物半导体的有源层图形；B、对形成有源层图形的基板进行掩模，调整基板设定位置的有源层的氧含量，形成具有较高氧含量的第一薄膜晶体管的有源层和具有较低氧含量的第二薄膜晶体管的有源层。优选的，所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物或铪铟锌氧化物。所述调整基板设定位置的有源层的氧含量包括气体氛围处理，所述气体氛围处理所采用的气体包括还原性气体或氧化性气体，处理方式包括热退火或等离子体轰击。所述调整基板设定位置的有源层的氧含量 包括液体氛围处理，所述液体氛围处理所采用的液体包括还原性液体或氧化性液体，处理方式包括化学反应或元素扩散。所述调整基板设定位置的有源层的氧含量包括固体氛围处理，所述固体氛围处理所采用的固体包括还原性固体或氧化性固体，处理方式包括化学反应或元素扩散。在本专利技术技术方案中，由于阵列基板同时具有增强型的第一薄膜晶体管和耗尽型的第二薄膜晶体管，将这两种类型的薄膜晶体管分别设计于阵列基板的设定位置，发挥其功能特性，对比于现有技术阵列基板的単一耗尽型薄膜晶体管或単一增强型薄膜晶体管，可減少薄膜晶体管设置数量，简化电路走线，使整个阵列基板的结构大为简化，结构稳定性大大提尚，阵列基板有效像素面积也得以进一步增加。附图说明图I为本专利技术阵列基板结构示意图；图2为本专利技术制造方法流程示意图；图3为本专利技术阵列基板ー实施例结构示意图；图4为图3所示的阵列基板的制造过程示意图；图5为阵列基板上不同氧含量的薄膜晶体管的转移特性曲线图。附图标记10-衬底板11-栅极12-栅极绝缘层13a-高氧含量有源层13b-低氧含量有源层14_刻蚀阻挡层15-源极16-漏极201a-第一薄膜晶体管201b-第二薄膜晶体管具体实施例方式为了解决现有技术中IGZO半导体作为阵列基板的有源层沟道材料，只能单一利用其耗尽型或增强型的特性，阵列基板的结构较为复杂，稳定性较差，有效像素面积不能够进ー步増加的技术问题，本专利技术提供了。如图I所示，本专利技术阵列基板，包括衬底板10和分别位于衬底板10上的第一薄膜晶体管201a和第二薄膜晶体管201b，其中，第一薄膜晶体管201a为增强型，第二薄膜晶体管201b为耗尽型。第一薄膜晶体管201a的有源层和第二薄膜晶体管201b的有源层材质包括氧化物半导体，例如铟镓锌氧化物(InGaZnO4)或铪铟锌氧化物(HfInZnO)等，可对有源层做相应的掺杂，以提高薄膜晶体管的性能。在本专利技术的实施例中，氧化物半导体优选为铟镓锌氧化物，具有迁移率高、均匀性好和可在室温下制备等优点。阵列基板可以为顶栅型结构或底栅型结构，可以为交叠型或反交叠型结构，可以为共面型或反共面型结构，也可以在衬底板的背面制备高反射层，制备成顶发射器件。衬底板10的材质可以为玻璃或者石英等，但不限于这些透明材质，也可以采用陶瓷、金属等以制备顶发射器件。本专利技术阵列基板可应用于TFT-IXD面板或AMOLED面板。本专利技术阵列基板的制造方法，包括在衬底板上的设定位置形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为增强型，第二薄膜晶体管为耗尽型。其中，形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的设定位置根据各自的功能、结构需要进行设计，例如，当设计于像素区及亚像素区作驱动晶体管时，可用于控制发光亮度，但本专利技术绝不限于此，例如，还可以用于时序控制电路，或者用于扫描驱动电路和数据驱动电路，或者用于阵列基板测试区，或者用于阵列基板外围静电防治电路等。如图2所示，在衬底板上的设定位置形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管吋，形成有源层包括步骤101、形成材质包括氧化物半导体的有源层图形；步骤102、对形成有源层图形的基板进行掩模，调整基板设定位置的有源层的氧含量，形成具有较高氧含量的第一薄膜晶体管的有源层和具有较低氧含量的第二薄膜晶体管的有源层。氧化物半导体优选为铟镓锌氧化物或铪铟锌氧化物。调整基板设定位置的有源层的氧含量可以采用气体氛围处理、液体氛围处理或固体氛围处理的方式。气体氛围处理所采用的气体包括还原性气体或氧化性气体，例如H2, 02，CH4等，处理方式包括热退火或等离子体轰击等。液体氛围处理所采用的液体包括还原性液体或氧化性液体，处理方式包括化学反应或元素扩散，例如，通过稀盐酸或氢氟酸的化学反应腐蚀处理。固体氛围处理所采用的固体包括还原性固体或氧化性固体，处理方式包括化学反应或元素扩散，例如，通过与有源层接触的部分栅极绝缘层或钝化层的热扩散处理。例如，当采用O2氛围处理调整基板设定位置的有源层的氧含量时，具体步骤可以为将掩模的基板送入O2氛围的退火炉中进行热退火处理，退火温度为130°C，退火时间为I小时，最終在设定位置形成高氧含量有源层。当采用H2氛围处理调整基板设定位置的有源层的氧含量时，具体步骤可以为将掩模的基板送入H2氛围的反应离子刻蚀设备中进行等离子体轰击处理，功率大小2 8kW，处理时间180秒，最終在设定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底板和分别位于衬底板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为增强型，第二薄膜晶体管为耗尽型。2.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，第一薄膜晶体管的有源层和第二薄膜晶体管的有源层材质包括氧化物半导体。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物或铪铟锌氧化物。4.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为顶栅型或底栅型。5.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板应用于TFT-LCD面板或AMOLED 面板。6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括 在衬底板上的设定位置形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为增强型，第二薄膜晶体管为耗尽型。7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在衬底板上的设定位置形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管包括 A、形成材质包括氧化物半导体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李延钊，王刚，黄国东，田香军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：