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本发明公开了一种Ｐ沟道耗尽型ＭＯＳ晶体管及其制备方法，该方法包括：在Ｎ型衬底基片待制备ＭＯＳ电极区域之外的上表面制备场氧化层，并在未被所述场氧化层覆盖的区域制备栅氧化层；在所述栅氧化层上面待制备ＭＯＳ栅极的区域，制备未掺杂的多晶硅层；从所述...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。