一种无结型多掺杂场效应晶体管制造技术

本发明专利技术涉及一种无结型多掺杂场效应晶体管，属于半导体器件制造领域，该晶体管包括：衬底、源区、沟道区、漏区、栅介质层、栅电极层：所述衬底位于结构最下面，所述源区、沟道区、漏区位于衬底之上；所述源区和漏区分别形成于沟道区两侧；所述源区、沟道区、漏区厚度均匀一致；所述源区和漏区掺杂类型和浓度相同；所述沟道区的掺杂类型与源区和漏区相同；其特征在于；所述沟道区的掺杂浓度与源区和漏区不相同；还包括形成于栅介质层和栅电极层侧面的间隔区。本发明专利技术适用于制造极短沟道晶体管，能够有效抑制器件短沟效应，提高器件的驱动能力，降低器件对于工艺浮动的敏感性。本器件形成方法与常规CMOS工艺兼容，制造工艺简单，生产成本低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种无结型多掺杂场效应晶体管，包括：衬底、源区、沟道区、漏区、栅介质层、栅电极层：所述衬底位于结构最下面，所述源区、沟道区、漏区位于衬底之上；所述源区和漏区分别形成于沟道区两侧；所述源区和漏区结构相同，并与沟道区中心对称；所述源区、沟道区、漏区厚度均匀一致；所述源区、沟道区、漏区为硅材料；所述源区和漏区掺杂类型和浓度相同；所述沟道区的掺杂类型与源区和漏区相同；其特征在于；所述沟道区的掺杂浓度与源区和漏区不相同；还包括形成于栅介质层和栅电极层侧面的间隔区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶佐昌，郭泽邦，王燕，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11