隔离型NLDMOS器件制造技术

本发明专利技术公开了一种隔离型NLDMOS器件，终端位于元胞区的上端及下端；元胞区，在P型硅衬底上形成有两个独立的N型深阱；左N型深阱同右N型深阱之间的P型硅衬底上方，及右N型深阱左部上方，形成有场氧；场氧下方的P型硅衬底及右N型深阱中，形成有漂移P型注入区；左N型深阱、右N型深阱、场氧、漂移P型注入区，向上下两端延伸至终端；终端，其中的右N型深阱的左侧右移，其中的漂移P型注入区的左侧右移，并且漂移P型注入区整体都在右N型深阱内部；在元胞区同终端之间的过渡区，右N型深阱的左侧位置为缓变过渡，漂移P型注入区的左侧位置为缓变过渡。本发明专利技术的隔离型NLDMOS器件,能在提高电流驱动能力的同时，提高击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种隔离型NLDMOS器件，其特征在于，终端位于元胞区的上端及下端；所述元胞区，在P型硅衬底上形成有左N型深阱、右N型深阱两个独立的N型深阱；所述左N型深阱，左部形成有一P阱；所述P阱，左部形成有一P型重掺杂区及一源端N型重掺杂区；所述P阱右部上方及所述左N型深阱右部上方，形成有栅氧化层；所述左N型深阱同所述右N型深阱之间的P型硅衬底上方，及所述右N型深阱左部上方，形成有场氧；所述右N型深阱，右部形成有一漏端N型重掺杂区；所述场氧左部上方及所述栅氧化层上方，形成有栅极多晶硅；所述场氧下方的P型硅衬底及右N型深阱中，形成有漂移P型注入区；所述左N型深阱、右N型深阱、P阱、栅氧化层、场氧、漏端N型重掺杂区、栅极多晶硅、漂移P型注入区，向上下两端延伸至终端；所述终端，其中的右N型深阱的左侧右移，其中的漂移P型注入区的左侧右移，并且漂移P型注入区整体都在右N型深阱内部；在元胞区同终端之间的过渡区，右N型深阱的左侧位置为缓变过渡，漂移P型注入区的左侧位置为缓变过渡。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：段文婷，刘冬华，钱文生，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31