【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一掩蔽层，并在该第一掩蔽层的侧壁上形成第一侧墙；以第一掩蔽层、第一侧墙为掩模，形成源区和漏区之一；在衬底上形成第二掩蔽层，并去除第一掩蔽层；以第二掩蔽层、第一侧墙为掩模，形成源区和漏区中另一个；去除第一侧墙的至少一部分；以及形成栅介质层，并在第二掩蔽层或者第一侧墙的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成栅导体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，梁擎擎，钟汇才，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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