【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种混合集成的绝缘体上硅器件及其制备方法。
技术介绍
1、soi(silicon-on-insulator，绝缘体上硅)技术是一种半导体制造技术，它在硅基片上形成一个埋氧层，并在其上面生长一层薄的单晶硅层，这种技术的主要目的是改善集成电路的性能和功耗，提供更高的集成度和更低的能耗。soi技术可以为半导体器件提供更好的性能、更低的功耗、更高的抗辐射性能和更好的兼容性，这使得它在很多应用领域，如高性能处理器、无线通信芯片和低功耗移动设备等方面具有广泛的应用前景。目前主要的soi结构包括全耗尽型(fdsoi，fully depleted soi)，部分耗尽型(pdsoi，partiallydepleted soi)，双埋氧型(dsoi，double soi)。
2、现有技术中，可以通过将不同类型的soi器件与体硅器件进行集成，以使集成得到的器件获得更好的性能和功能，但无论是fdsoi还是体硅器件由于高频性能较差、截止频率低、噪声系数高，都无法作为射频前端器件使用，与此同时，不同类型之间的器件在集成时存在特性不一致问题，容易导致集成后器件的性能下降情况发生。
技术实现思路
1、本公开实施例的目的在于提供一种混合集成的绝缘体上硅器件及其制备方法，用以解决现有技术中集成器件无法应用在射频前端器件中，并且存在特性不一致的问题。
2、本公开的实施例采用如下技术方案：一种混合集成的绝缘体上硅器件，包括：集成在同一硅衬底上的射频绝缘体上硅器件和双埋氧绝
3、本公开实施例还提供了一种混合集成的绝缘体上硅器件的制备方法，包括：提供一硅衬底，所述硅衬底被划分为第一功能区和第二功能区；在所述硅衬底的一侧表面制备埋氧层，所述埋氧层包括位于所述第一功能区内的第一埋氧层以及位于所述第二功能区内的第二埋氧层；对所述第一埋氧层的厚度进行减薄处理，使所述第一埋氧层的层级厚度小于所述第二埋氧层的层级厚度；在所述第一埋氧层远离所述硅衬底一侧表面制备陷阱富裕层；在所述陷阱富裕层远离所述第一埋氧层一侧依次制备射频绝缘体上硅器件的其他层级；在所述第二埋氧层远离所述硅衬底一侧表面依次制备双埋氧绝缘体上硅器件的其他层级。
4、本公开实施例的有益效果在于：将具有优秀的高频性能、高截止频率的射频soi器件与具有优秀调控性的dsoi器件进行结合，实现对集成后器件的射频性能优化和阈值电压调控，使两种不同类型的soi器件的集成效果更佳，另外通过在射频soi器件中对第一埋氧层位置的限定，可以为射频器件提供更好的电气隔离，减少串扰，从而提高射频器件的性能，配合dsoi的调控特性实现更好的高频性能。
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1.一种混合集成的绝缘体上硅器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的绝缘体上硅器件，其特征在于，所述射频绝缘体上硅器件还包括如下层级结构：
3.根据权利要求1或2所述的绝缘体上硅器件，其特征在于，所述双埋氧绝缘体上硅器件还包括如下层级结构：
4.一种混合集成的绝缘体上硅器件的制备方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述陷阱富裕层远离所述第一埋氧层一侧依次制备射频绝缘体上硅器件的其他层级，包括：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第一功能区域的层级进行浅槽隔离之后，还包括：
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二埋氧层远离所述硅衬底一侧表面依次制备双埋氧绝缘体上硅器件的其他层级，包括：
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一埋氧层的层级厚度在2至10纳米之间。
9.根据权利要求4至8中任一种所述的制备方法，其特征在于，所述在所述硅衬底的一侧表面制备埋氧层，包括：
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...【技术特征摘要】
1.一种混合集成的绝缘体上硅器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的绝缘体上硅器件，其特征在于，所述射频绝缘体上硅器件还包括如下层级结构：
3.根据权利要求1或2所述的绝缘体上硅器件，其特征在于，所述双埋氧绝缘体上硅器件还包括如下层级结构：
4.一种混合集成的绝缘体上硅器件的制备方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述陷阱富裕层远离所述第一埋氧层一侧依次制备射频绝缘体上硅器件的其他层级，包括：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李博，刘凡宇，吴宇辰，黄杨，陈思远，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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