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本公开提供了一种混合集成的绝缘体上硅器件及其制备方法，该器件包括：集成在同一硅衬底上的射频绝缘体上硅器件和双埋氧绝缘体上硅器件；其中，所述射频绝缘体上硅器件的陷阱富裕层和所述硅衬底之间具有第一埋氧层。本公开将具有优秀的高频性能、高截止频率的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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