【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种PLDMOS的制造方法，其特征在于，PLDMOS的沟道区由一N阱以及形成于所述N阱表面内的阈值电压调整注入区组成，所述沟道区的形成工艺包括如下步骤：步骤一、采用光刻工艺将所述N阱的形成区域打开，所述N阱形成区域外用光刻胶覆盖，所述光刻胶在所述N阱的形成区域形成一窗口；在所述窗口的边缘处，所述窗口的侧壁为厚度逐渐增加的倾斜结构，使所述窗口的底部横向尺寸小于顶部横向尺寸；步骤二、采用多次N型离子注入工艺在所述N阱形成区域形成所述N阱；在所述窗口的边缘处，所述N阱的N型离子注入会穿过一定厚度的所述窗口的侧壁而使所述N阱的横向尺寸大于所述窗口的底部横向尺寸、以及小于所述窗口的顶部横向尺寸；步骤三、采用灰化处理的工艺将一定厚度的所述光刻胶去除，被去除的所述光刻胶的厚度满足，使所述窗口的底部横向尺寸扩大到大于等于所述N阱的横向尺寸位置处；步骤四、进行阈值电压调整注入形成所述阈值电压调整注入区，所述窗口的底部横向尺寸的扩大使所述阈值电压调整注入区的横向尺寸大于等于所述N阱的横向尺寸，使所述沟道区各位置处都进行了阈值电压调整。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵新梅，王佰胜，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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