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本发明公开了一种PLDMOS的制造方法，沟道区的形成工艺包括如下步骤：采用光刻工艺形成一光刻胶窗口将N阱的形成区域打开；采用多次N型离子注入工艺在N阱形成区域形成N阱；采用灰化处理的工艺将一定厚度的光刻胶去除使窗口扩大；进行阈值电压调整注入...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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