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本发明涉及一种薄膜器件。使用氧化物半导体膜的TFT存在的问题是会在源-漏电极执行等离子体蚀刻之后在氧化物半导体膜的表面区域中产生氧缺乏并增大关断电流。公开一种TFT，其包括：在作为衬底的绝缘衬底上的栅电极；在栅电极上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘...
该专利属于NLT科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NLT科技股份有限公司授权不得商用。

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