一种AL选择性扩散的二极管生产工艺制造技术

一种AL选择性扩散的二极管生产工艺。涉及半导体加工技术领域。包括以下步骤：步骤S100：N衬底选取；步骤S200：N衬底上生长氧化膜；步骤S300：一次单面选择性光刻；步骤S400：氧化膜去除；步骤S500：AL溅射；步骤S600：在溅射面贴一层具有粘性的蓝膜，在烘箱中烘烤；步骤S700：揭膜去除氧化膜上的AL；步骤S800：真空合金及base区表面金属去除。步骤S100中N衬底的选取根据产品的耐压需求，选择不同电阻率的N衬底硅片，一般为50‑100Ω。本发明专利技术既在短的扩散时间内实现了AL的选择性扩散形成较高的耐压，又保留了较高的表面浓度形成良好的欧姆接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工，尤其涉及一种al选择性扩散的二极管生产工艺。

技术介绍

1、在高压二极管或三极管/晶体管的制造工艺中，需求局部扩散以提高产品的耐压或者通过局部穿通扩散/深结扩散结构来实现某些功能，常常需要利用al扩散速率快及前沿浓度低可提升产品耐压的优势进行生产，可大大节约生产时间或提升产品耐压。但由于al在高温下具有极强的穿透力能力，甚至氧化膜也无法阻挡al的扩散，而造成整体结构及电性被破坏。传统工艺一般在待扩散的区域暴露出来后，主要通过以下方式实现al的选择性扩散：

2、1）离子注入方法：通过光刻胶阻挡不需要扩散的区域+离子注入al实现，此种方法不仅设备昂贵，生产成本也很高；

3、2）蒸发/溅射方法：待扩散区域晶片表面整面溅射或蒸发一定厚度的al金属后，通过增加一次光刻工艺来去除氧化膜表面的al金属。

4、以上两种方法都是通过增加一次光刻来实现al的选择性扩散，这样会增加生产成本。在半导体市场竞争越演越烈的今天，拥有低成本且高品质的半导体制造技术至关重要。

技术实现思路<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种AL选择性扩散的二极管生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种AL选择性扩散的二极管生产工艺，其特征在于，步骤S100中N衬底电阻率为50-100Ω。

3.根据权利要求1所述的一种AL选择性扩散的二极管生产工艺，其特征在于，步骤S200中在N衬底表面生长氧化膜，氧化膜的厚度大于15000埃。

4.根据权利要求1所述的一种AL选择性扩散的二极管生产工艺，其特征在于，步骤S300中在衬底上表面进行选择性光刻，将待扩散的base区暴露出来，其余区域用光阻剂保护。

5.根据权利要求1所述的一种AL选择性扩散的二极管...

【技术特征摘要】

1.一种al选择性扩散的二极管生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种al选择性扩散的二极管生产工艺，其特征在于，步骤s100中n衬底电阻率为50-100ω。

3.根据权利要求1所述的一种al选择性扩散的二极管生产工艺，其特征在于，步骤s200中在n衬底表面生长氧化膜，氧化膜的厚度大于15000埃。

4.根据权利要求1所述的一种al选择性扩散的二极管生产工艺，其特征在于，步骤s300中在衬底上表面进行选择性光刻，将待扩散的base区暴露出来，其余区域用光阻剂保护。

5.根据权利要求1所述的一种al选择性扩散的二极管生产工艺，其特征在于，步骤s400中用boe腐蚀液或稀hf将待扩散的base区上方的氧化膜去除，暴露出正面待扩散的区域。

6.根据权利要求1所述的一种al选择性扩散的二...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔丹丹，游佩武，裘立强，王毅，
申请(专利权)人：扬州杰利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：