八路整流二极管阵列制造技术

技术编号:11842121 阅读:279 留言:0更新日期:2015-08-06 16:16
一种八路整流二极管阵列,包括陶瓷金属化管底座、金属盖板,其中金属盖板与陶瓷金属化外壳封装构成管壳,在管壳上设置扁平外引线,其特殊之处是:在陶瓷金属化管底座上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域,将八个硅整流二极管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上,用硅铝丝将硅整流二极管芯片与外引线的管壳腔体内部部分进行电气连接,管壳腔体内部采用AB胶进行填充。可实现独立的八通路逻辑开关、半波整流、脉冲续流的功能,各通路开关性能良好,结构紧凑、占用空间小、散热性好,可靠性高,可在恶劣环境下工作。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及硅整流二极管,尤其涉及一种八路整流二极管阵列,用于电子线路的逻辑开关、半波整流、续流。
技术介绍
在需要处理多路逻辑信号或进行多路电流保护的电路中,一般需要在电路版上安装一排独立封装的二极管器件,每个二极管作为逻辑开关或整流与续流使用,在这种多通路信号传输电路中占用电路的整体空间过多,而各路之间的电性能一致性不好,影响了电路板的集成化与稳定性。采用进口的塑封集成器件时,工作的温度范围、湿度范围等环境条件受到限制。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种可实现独立的八通路逻辑开关、半波整流、脉冲续流的功能,各通路开关性能良,结构紧凑、占用空间小、散热性好,可靠性高,可在恶劣环境下工作,的八路整流二极管阵列。本技术涉及的八路整流二极管阵列,包括陶瓷金属化管底座、金属盖板,其中金属盖板与陶瓷金属化外壳封装构成管壳,在管壳上设置扁平外引线,其特殊之处是:在陶瓷金属化管底座上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域,将八个硅整流二极管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上,用硅铝丝将硅整流二极管芯片与外引线的管壳腔体内部部分进行电气连接,管壳腔体内部采用AB胶进行填充。本技术的有益效果是:1、外壳内设有八部分独立的平行排列金属化区域,通过将八个硅整流二极管芯片封装在一个表贴式陶瓷金属化全密封外壳结构中,构成了八通路的二极管阵列,结构紧凑、占用空间小,散热性好,实现了独立的八通路逻辑开关、半波整流、脉冲续流的功能,在电路中可进行逻辑开关,或进行多路半波整流,或对电路进行续流保护;其中的硅整流二极管芯片具有耐压高、导通压降小、电流能力强的特点,产品的一致性与可靠性水平得到了进一步提高。可对国外的塑封器件进行功能替代,从而在高温、高湿、强震动的恶劣条件下正常工作;2、芯片与管壳腔体采用导电胶进行粘接,保证芯片的高频开关特性一致性强。在完成内部电气连接后用AB胶填充管壳腔体,提高了产品内部的绝缘强度与耐压能力,灌封后的陶瓷金属化密封外壳保证了产品在恶劣环境下正常工作。【附图说明】图1是本技术的结构示意图。图2是本技术封装前的俯视图。图中一陶瓷金属化底座、2 —金属盖板、3 —扁平外引线、4 一娃整流二极管芯片、5 —硅铝丝,6 —金属化区域。【具体实施方式】如图所示,本技术包括由陶瓷金属化管底座1、金属盖板2、扁平外引线3和八个硅整流二极管芯片4组成,其中金属盖板2与陶瓷金属化底座I气密性封装构成管壳。扁平外引线3 —端位于管壳内、另一端位于管壳外在陶瓷金属化管底座I上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域6,所述八个硅整流二极管芯片4通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域6上,用硅铝丝5将硅整流二极管芯片4与扁平外引线3的位于管壳腔体内部部分进行电气连接,在完成内部电气连接后AB胶填充管壳腔体。以上仅为本技术的具体实施例而已,并不用于限制本技术,对于本领域的技术人员来说,本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种八路整流二极管阵列,包括陶瓷金属化管底座、金属盖板,其中金属盖板与陶瓷金属化外壳封装构成管壳,在管壳上设置扁平外引线,其特征是:在陶瓷金属化管底座上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域,将八个硅整流二极管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上,用硅铝丝将硅整流二极管芯片与外引线的管壳腔体内部部分进行电气连接,管壳腔体内部采用AB胶进行填充。【专利摘要】一种八路整流二极管阵列,包括陶瓷金属化管底座、金属盖板,其中金属盖板与陶瓷金属化外壳封装构成管壳,在管壳上设置扁平外引线,其特殊之处是:在陶瓷金属化管底座上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域,将八个硅整流二极管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上,用硅铝丝将硅整流二极管芯片与外引线的管壳腔体内部部分进行电气连接,管壳腔体内部采用AB胶进行填充。可实现独立的八通路逻辑开关、半波整流、脉冲续流的功能,各通路开关性能良好,结构紧凑、占用空间小、散热性好,可靠性高,可在恶劣环境下工作。【IPC分类】H01L25-07, H01L23-31【公开号】CN204538019【申请号】CN201520269109【专利技术人】麻欣, 刘帅, 谢一, 黄芳 【申请人】锦州辽晶电子科技有限公司【公开日】2015年8月5日【申请日】2015年4月28日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种八路整流二极管阵列,包括陶瓷金属化管底座、金属盖板,其中金属盖板与陶瓷金属化外壳封装构成管壳,在管壳上设置扁平外引线,其特征是:在陶瓷金属化管底座上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域,将八个硅整流二极管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上,用硅铝丝将硅整流二极管芯片与外引线的管壳腔体内部部分进行电气连接,管壳腔体内部采用AB胶进行填充。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:麻欣刘帅谢一黄芳
申请(专利权)人:锦州辽晶电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:辽宁;21

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