陶瓷气密性封装延期执行电路制造技术

一种陶瓷气密性封装延期执行电路，能控制信号作出不同的延迟时间处理，同时满足武器装备小型化的的要求，并且进一步提高产品的性能与可靠性水平。包括陶瓷基板，在陶瓷基板上粘接有陶瓷管壳，在陶瓷基板设有厚膜电阻和焊盘，在陶瓷基板上焊接有侧插引腿，其特殊之处是：所述陶瓷管壳的长度为21.9

【技术实现步骤摘要】
陶瓷气密性封装延期执行电路


[0001]本技术涉及一种集成电路，尤其是涉及一种陶瓷气密性封装延期执行电路。主要应用于武器装备领域中武器装备点火延迟执行等，起到延迟执行开关点火的作用，用于控制设备的开启。

技术介绍

[0002]现有的武器装备中点火电路多为分立器件连接的方式结构，此结构占用空间较大、装配及安装调试过程均比较复杂，功率管多数采用比较笨重的F2型传统封装，并且功能简单不能对输入信号进行延迟处理。采用分立器件搭建的电路产品的一致性比较差。目前，随着军用电子的飞速发展，整机单位对武器装备小型化的需求越来越迫切，采用分立器件连接的方式构成的简单点火电路已逐渐无法满足整机电路的要求。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题是提供一种陶瓷气密性封装延期执行电路，通过此电路由分立器件到混合集成电路的转化，并由于设置单稳态多谐振荡器外围延迟反馈电容不同，能控制信号作出不同的延迟时间处理，同时满足武器装备小型化的的要求，并且进一步提高产品的性能与可靠性水平。
[0004]本技术涉及的陶瓷气密性封装延期执行电路，包括三氧化二铝陶瓷基板，在陶瓷基板上粘接有陶瓷管壳，在陶瓷基板设有厚膜电阻和焊盘，所述厚膜电阻包括电阻R1～R10，在陶瓷基板上焊接有侧插引腿，其特殊之处是：所述陶瓷管壳的长度为21.9
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22.9mm、宽度为10.5
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11.5mm，在三氧化二铝陶瓷基板上采用导电胶粘接固化有单稳态多谐振荡器芯片、二极管芯片、稳压二极管、延迟电容、充电电容和晶闸管芯片，所述二极管芯片包括二极管V1～V4，其中多谐振荡器芯片布置在陶瓷基板的中下部，晶闸管芯片和延迟电容分别布置在多谐振荡器芯片的左右两侧，二极管芯片和焊盘之间用硅铝丝连接，其他元器件之间、元器件与焊盘之间、元器件与外引线之间通过电路走线实现电气连接，所述多谐振荡器芯片的输出端通过二极管V3连接晶闸管芯片的栅极，电阻R10连接在晶闸管芯片的源极和漏极之间，电阻R9连接在晶闸管芯片的栅极和漏极之间，二极管V4负极连接晶闸管芯片的栅极，二极管V4正极引出直接控制输入端G，所述晶闸管芯片的源极为该延期执行电路的输出端。
[0005]进一步地，所述导电胶的厚度为0.4
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0.6mm。
[0006]进一步地，所述延迟电容边缘非电连接部位通过绝缘胶固定。
[0007]进一步地，陶瓷基板和陶瓷管壳的材质为三氧化二铝陶瓷，两者具有相匹配的线性膨胀系数，且这两种材质的散热性能极好，具有较好的散热能力和热应力特性，两者高低温形变特性相似，在绝缘胶粘接情况下，满足应力释放要求。
[0008]本技术的有益效果是：该延迟执行电路电路为集成化结构，管壳尺寸小，延迟输出，使用空间要求小，应用灵活。同时由于延迟电路的延迟时间可以通过调节延迟电容的
具体容值，可针对不同用户需求，改变延迟电容的容值设置所需的延迟时间，满足了相关用户在相关整机产品上的灵活使用。并且所有器件都在同一封装中，同一环境下工作，一致性好，可靠性高。控制部分与功率部分开布置，防止晶闸管芯片发热对控制部分的热损伤而影响延迟电容性能和延迟时间。通过二极管V4引出直接控制输入端G，在不需要延迟情况下，5微秒内启动工作。通过晶闸管芯片增大后级功率输出能力，提高了产品的应用范围。本产品用于航空、航天、兵器等领域，可靠性的要求严格，如高低温、强振动等条件下都可以正常工作运行。
附图说明
[0009]图1是本技术的结构示意图；
[0010]图2是本技术封装前的俯视图；
[0011]图3是本技术的电路原理图。
[0012]电路原理图；
[0013]图中：陶瓷基板
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1、陶瓷管壳
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2、多谐振荡器芯片
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3、晶闸管芯片
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4、二极管芯片
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5、稳压二极管
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6、延迟电容
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7、充电电容
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8、硅铝丝
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9、侧插引脚
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10、焊盘
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11、厚膜电阻
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12、导电胶
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13、绝缘胶
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14。
具体实施方式
[0014]如图1、图2所示，本技术包括陶瓷基板1，在陶瓷基板1上设置陶瓷管壳2，所述陶瓷管壳2的长度为22.4mm、宽度为11mm，所述陶瓷管壳2 采用绝缘胶粘贴固化进行气密性封装，陶瓷基板1上焊接有侧插引腿10，其中第2引脚为测试端，第3引脚为输入端，第7脚为直接控制输入端，第8脚为输出端。在陶瓷基板1上通过导电胶13粘贴固化多谐振荡器芯片3(图3中芯片D1A和D1B)、晶闸管芯片4(图3中V6)、二极管芯片5(图3中V1～V4)、稳压二极管6(图3中V5)、延迟电容7(图3中C1、C2)、充电电容8(图3 中C3)，所述导电胶13的厚度为0.5mm，其中多谐振荡器芯片3布置在陶瓷基板1的中下部，晶闸管芯片4和延迟电容7分别布置在多谐振荡器芯片3的左侧和右侧，所述延迟电容7边缘非电连接部位通过绝缘胶14固定，所述陶瓷基板1和陶瓷管壳2的材质为三氧化二铝陶瓷，同种材料保证了多谐振荡器芯片3、晶闸管芯片4良好的散热条件。在陶瓷基板1上设有厚膜电阻12(图 3中R1～R10)和焊盘11，厚膜电阻12是通过丝网印刷、激光调阻技术制作在陶瓷基板1上，二极管芯片5和焊盘11间用硅铝丝9连接，其他元器件之间、元器件与焊盘之间通过硅铝丝(或基板上金属走线)实现电气连接。如图 3所示，所述多谐振荡器芯片3的输出端通过二极管V3连接晶闸管芯片V6的栅极，电阻R10连接在晶闸管芯片V6的源极和漏极之间，电阻R9连接在晶闸管芯片V6的栅极和漏极之间，二极管V4负极连接晶闸管芯片V6的栅极，二极管V4正极引出直接控制输入端G接第7引脚，所述晶闸管芯片V6的源极为该延期执行电路的输出端接第8引脚。
[0015]以上仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷气密性封装延期执行电路，包括三氧化二铝陶瓷基板(1)，在陶瓷基板(1)上粘接有陶瓷管壳(2)，在陶瓷基板(1)设有厚膜电阻(12)和焊盘(11)，所述厚膜电阻(12)包括电阻R1～R10，陶瓷基板(1)上焊接有侧插引腿(10)，其特征是：所述陶瓷管壳的长度为21.9
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22.9mm、宽度为10.5
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11.5mm，在陶瓷基板(1)上采用导电胶(13)粘接固化有单稳态多谐振荡器芯片(3)、二极管芯片(5)、稳压二极管(6)、延迟电容(7)、充电电容(8)和晶闸管芯片(4)，所述二极管芯片(5)包括二极管V1～V4，其中多谐振荡器芯片(3)布置在陶瓷基板(1)的中下部，晶闸管芯片(4)和延迟电容(7)分别布置在多谐振荡器芯片(3)的左侧和右侧，二极管芯片(5)和焊盘(11)之间用硅铝丝(9)连接，其他元...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾浩，陈浩，刘帅，冯洺予，陈晶，
申请(专利权)人：锦州辽晶电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：