【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成
，尤其涉及。
技术介绍
半导体技术作为信息产业的核心和基础，是衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志。在过去的40多年中，硅基集成技术遵循摩尔定律通过缩小器件的特征尺寸来提高器件的工作速度、增加集成度以及降低成本，硅基CMOS器件的特征尺寸已经由微米尺度缩小到纳米尺度。然而当MOS器件的栅长缩小到90纳米以下，器件的短沟效应日益明显，传统平面硅基微电子集成技术开始面临来自物理与技术方面的双重挑战，采用高迁移率半导体材料沟道材料和采用新器件结构是获得高性能MOS器件的有效途径，双栅、三栅等多栅FinFET器件有利于提高MOS器件的栅控能力，提高器件性能。锗材料的电子迁移率和空穴迁移率都比硅高很多，是下一代CMOS技术沟道材料·的有力竞争者，新结构多栅锗基CMOS器件在未来有望获得实际的应用。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供，以将纳米结构的单晶锗集成到硅衬底上，可应用于制备高迁移率新结构多栅锗基CMOS器件的制备。( 二 )技术方案为达到上述目的，本专利技术提供了一种硅基锗纳米结构衬底，...
【技术保护点】
一种硅基锗纳米结构衬底，其特征在于，包括：单晶硅衬底；在该单晶硅衬底上形成的多个锗鳍；在该多个锗鳍上形成的帽层；以及填充于该单晶硅衬底上多个锗鳍之间的介质填充层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙兵，刘洪刚，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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