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本发明涉及半导体集成技术领域，公开了一种硅基锗纳米结构衬底及其制备方法，该硅基锗纳米结构衬底包括：单晶硅衬底；在该单晶硅衬底上形成的多个锗鳍；在该多个锗鳍上形成的帽层；以及填充于该单晶硅衬底上多个锗鳍之间的介质填充层。利用本发明，可以为制备...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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