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本实用新型提出了一种实现局域寿命控制的IGBT，该IGBT包括集电区，在集电区之上形成有缓冲层，在缓冲层之上形成有漂移区，在集电区与漂移区之间形成有至少一层低寿命高复合层，该低寿命高复合层内具有复合中心，能够降低载流子的寿命，在漂移区内形成...
该专利属于宁波比亚迪半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波比亚迪半导体有限公司授权不得商用。

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