一种有机光电晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种有机光电晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中缺少高性能的有机红外光电探测器的技术问题。该有机光电晶体管的制备方法，包括如下步骤：在衬底上形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极之间存在沟道区域；在所述源电极和所述衬底上形成P型有机光电半导体有源层，所述P型有机光电半导体有源层覆盖所述沟道区域中靠近所述源电极的第一部分区域以及与所述第一部分区域邻接的所述源电极的部分区域；在所述漏电极、所述衬底和所述P型有机光电半导体有源层上形成N型有机光电半导体有源层，所述N型有机光电半导体有源层覆盖所述沟道区域中靠近所述漏电极的第二部分区域以及与所述第二部分区域邻接的所述漏电极的部分区域；其中，所述第一部分区域和所述第二部分区域在所述沟道区域中存在交叠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种有机光电晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、近年来，诸如有机场效应晶体管(organic field effect transistor，ofet)、有机光伏器件(organic photovoltaic devices，opv)和有机发光二极管(organic light-emitting diodes，oled)等有机电子器件迅速发展，其性能已经可以与相应的非晶硅器件的性能相媲美。光电探测器(photodetector，pd)是许多光电器件的关键部件，它将不同入射能量的光子转换为可调电信号。根据可吸收的光子波长的不同，光电探测器可以分为紫外、可见和红外波段的光电探测器，其中红外波段中的近红外波段主要是指波长大于800nm小于2500nm的光，因其在遥感、健康监测、光谱分析和夜视等方面的应用前景广阔而受到广泛关注。

2、对于传统无机硅基材料作为有源层的光电探测器，相比于有机半导体来说稳定得多。但是，传统硅半导体器件参数的调整主要是通过复杂工艺掺杂或引入超晶格等微结构来实现的，而光电材料的吸收范围主要由材料的带本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种有机光电晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的有机光电晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述P型有机光电半导体有源层和所述N型有机光电半导体有源层之前，还包括：

3.根据权利要求1所述的有机光电晶体管的制备方法，其特征在于，在所述源电极和所述衬底上形成P型有机光电半导体有源层包括：

4.根据权利要求3所述的有机光电晶体管的制备方法，其特征在于，在所述漏电极、所述衬底和所述P型有机光电半导体有源层上形成N型有机光电半导体有源层包括：

5.根据权利要求3所述的有机光电晶体管的制备方法，其特征在于，所述P...

【技术特征摘要】

1.一种有机光电晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的有机光电晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述p型有机光电半导体有源层和所述n型有机光电半导体有源层之前，还包括：

3.根据权利要求1所述的有机光电晶体管的制备方法，其特征在于，在所述源电极和所述衬底上形成p型有机光电半导体有源层包括：

4.根据权利要求3所述的有机光电晶体管的制备方法，其特征在于，在所述漏电极、所述衬底和所述p型有机光电半导体有源层上形成n型有机光电半导体有源层包括：

5.根据权利要求3所述的有机光电晶体管的制备方法，其特征在于，所述p型有机光电半导体有源层材料为有机p型共轭聚合物光电半导体材料。

【专利技术属性】
技术研发人员：许韫琪，李蒙蒙，李泠，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：