【技术实现步骤摘要】
本申请属于显示，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
技术介绍
1、有机发光二极管显示技术是一种极具发展前景的平板显示技术，oled由阳极、阴极以及设置在阳极、阴极中间的有机发光材料构成，具有十分优异的显示性能。
2、为了实现oled显示器的全彩化，通过白色有机发光二极管(white organic lightemitting diode，woled)和彩色滤光(color filter，cf)层叠加的串联型(tandem woled+cf)结构来实现。在woled中，采用顶发射结构，为了保证显示效果，顶发射要求高透过率，因此，阴极非常薄，阴极阻抗相对阳极偏高，电信号从面板边缘输入，因阴极阻抗高的原因，面板中间和边缘会存在明显压降，导致面板中间与边缘显示存在色偏，面板尺寸越大越明显。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种显示面板和显示装置，以解决现有的显示面板采用顶发射结构时，存在阴极阻抗高的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括：
3、阵列基板；
4、像素定义层，位于所述阵列基板上；
5、发光器件，位于所述像素定义层的像素开口内，所述发光器件至少包括阳极、位于所述阳极之上的发光功能层、位于所述发光功能层之上的阴极；
6、光阻，至少位于所述发光器件的出光侧；
7、辅助阴极，位于所述像素定义层之上；
8、绝缘层，位于所述辅助阴极之上；
9、其中，所述辅助阴极和所
10、可选的，所述阴极的厚度小于所述辅助阴极的厚度。
11、可选的，所述辅助阴极包括金属材料。
12、可选的，所述显示面板还包括辅助电极，所述辅助电极和所述阳极同层设置，所述像素定义层上设有露出所述辅助电极的第三开口，所述辅助电极贯穿所述第三开口且连接所述辅助阴极。
13、可选的，所述辅助阴极的厚度为d，d＞1μm。
14、可选的，所述显示面板还包括遮光矩阵，所述遮光矩阵设置在所述绝缘层上，所述遮光矩阵与所述光阻的侧边接触。
15、可选的，所述发光功能层的侧边延伸至所述像素定义层背离所述阵列基板的一侧，所述发光功能层的侧边与所述辅助阴极的侧边接触。
16、可选的，所述阵列基板包括薄膜晶体管和连接电极，所述辅助阴极通过所述连接电极连接，所述连接电极与所述薄膜晶体管的源极、漏极同层设置。
17、可选的，还包括封装层，所述封装层包括层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层，第二无机层设置于所述绝缘层和所述光阻上。
18、第二方面，本申请实施例还提供一种显示装置，包括：上述任意一项所述的显示面板。
19、本申请实施例提供的显示面板和显示装置，包括阵列基板、像素定义层、发光器件、光阻、辅助电极和绝缘层，发光器件包括阳极、发光功能层和阴极，发光器件与光阻对位设置，辅助阴极设置在像素定义层上，绝缘层设置在辅助阴极上，辅助阴极和绝缘层围绕设置光阻设置，绝缘层与光阻接触的边缘突出于辅助阴极与光阻接触的边缘设置，辅助阴极与绝缘层形成底切结构，底阴极延伸至底切结构并与辅助阴极连接，辅助阴极的阻抗小，发光器件采用顶发射结构，提高了开口率，克服了现有的显示面板采用顶发射结构时，存在阴极阻抗高的问题，降低了阴极阻抗，改善了阴极电流压降的情况。
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1.一种显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极的厚度小于所述辅助阴极的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助阴极包括金属材料。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括辅助电极，所述辅助电极和所述阳极同层设置，所述像素定义层上设有露出所述辅助电极的第三开口，所述辅助电极贯穿所述第三开口且连接所述辅助阴极。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助阴极的厚度为D，D＞1μm。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括遮光矩阵，所述遮光矩阵设置在所述绝缘层上，所述遮光矩阵与所述光阻的侧边接触。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光功能层的侧边延伸至所述像素定义层背离所述阵列基板的一侧，所述发光功能层的侧边与所述辅助阴极的侧边接触。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括薄膜晶体管和连接电极，所述辅助阴极与所述连接电极连接，所述连接
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括封装层，所述封装层包括层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层，第二无机层设置于所述绝缘层和光阻上。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1至9任意一项所述的显示面板。
...【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极的厚度小于所述辅助阴极的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助阴极包括金属材料。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括辅助电极，所述辅助电极和所述阳极同层设置，所述像素定义层上设有露出所述辅助电极的第三开口，所述辅助电极贯穿所述第三开口且连接所述辅助阴极。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助阴极的厚度为d，d＞1μm。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括遮光矩阵，所述遮光矩阵设置在所述绝缘层上，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王质武，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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