【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，更具体地说，涉及一种宽禁带半导体器件及制备方法。
技术介绍
1、gan、sic等宽禁带半导体材料，具有宽直接带隙、高电子饱和漂移速度、高击穿场强、抗腐蚀和耐辐射等优点，在高频、高压功率器件的军事航天和商业领域均具有广泛的应用前景。
2、虽然宽禁带半导体材料本身表现出显著的辐射耐受性，但采用宽禁带半导体材料的功率器件面临一个最重要问题，即在宽禁带半导体功率器件中，单粒子入射后，会在宽禁带半导体功率器件内产生非平衡载流子，从而形成极高的电流脉冲，高强度的电流脉冲会使宽禁带半导体功率器件中产生寄生晶体管效应(parasitic transistor effect)和雪崩效应(avalanche effect)，从而出现单粒子烧毁效应(single event burnout，简称seb)，最终导致宽禁带半导体功率器件损坏。
3、基于此，亟需一种宽禁带半导体器件，来解决上述问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种宽禁带半导...
【技术保护点】
1.一种宽禁带半导体器件，其特征在于，所述宽禁带半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述宽禁带半导体器件为高电子迁移率晶体管，所述宽禁带半导体器件还包括：
3.根据权利要求2所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述宽禁带半导体器件为高电子迁移率晶体管，所述外延层包括：
4.根据权利要求2或3所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石衬底、Si衬底、SiC衬底或GaN衬底。
5.根据权利要求1所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述宽禁带半导体器件为金属氧化物半导体场效应晶体...
【技术特征摘要】
1.一种宽禁带半导体器件，其特征在于，所述宽禁带半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述宽禁带半导体器件为高电子迁移率晶体管，所述宽禁带半导体器件还包括：
3.根据权利要求2所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述宽禁带半导体器件为高电子迁移率晶体管，所述外延层包括：
4.根据权利要求2或3所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石衬底、si衬底、sic衬底或gan衬底。
5.根据权利要求1所述的宽禁带半导体器件，其特征在于，所述宽禁带半导体器件为金属氧化物半导体场效应晶体管，所述外延层包...
【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，唐蕴，朱慧平，张学文，李博，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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