【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种互连线的电迁移评估方法、装置、存储介质及电子设备。
技术介绍
1、电迁移现象是指在电场作用下金属离子发生迁移的现象，长时间的电迁移会影响金属线的电阻、电压降、信号完整性和时序，严重的会引起线路短路或短路，严重影响芯片可靠性，因此，随着半导体技术节点的进步，电迁移的可靠性评估变得越来越重要。
2、然而，在集成电路制造的cmp工艺过程中，会造成互连线的蝶形缺陷(dishing)，在互连线存在蝶形缺陷的情况下，往往不能准确地确定互连线的缺陷状况，从而无法准确地对互连线进行电迁移评估。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种互连线的电迁移评估方法、装置、存储介质及电子设备，能够准确地对具有蝶形缺陷的互连线进行电迁移评估。具体方案如下：
2、一种互连线的电迁移评估方法，包括：
3、响应于评估指令，获取待测试的互连线几何模型以及评估条件参数，所述互连线几何模型所属的互连线具有蝶形缺陷，所述评估条件参数包括温度信息
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1.一种互连线的电迁移评估方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述互连线几何模型确定所述互连线的蝶形缺陷中的目标缺陷点的缺陷表征，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述互连线的高度、所述缺陷深度、所述第一坐标信息以及第二坐标信息，确定所述目标缺陷点的缺陷表征，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标缺陷点的缺陷表征以及所述评估条件参数，获得所述目标缺陷点的电迁移评估结果，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获得所述...
【技术特征摘要】
1.一种互连线的电迁移评估方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述互连线几何模型确定所述互连线的蝶形缺陷中的目标缺陷点的缺陷表征，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述互连线的高度、所述缺陷深度、所述第一坐标信息以及第二坐标信息，确定所述目标缺陷点的缺陷表征，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标缺陷点的缺陷表征以及所述评估条件参数，获得所述目标缺陷点的电迁移评估结果，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获得所述目标缺陷点的电迁移评估结果之后，还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：王亚丽，陈岚，秦兆慧，陆仁杰，郝晓冉，陈容，孙艳，杜琴，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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