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本发明提供了一种宽禁带半导体器件及制备方法，该宽禁带半导体器件包括：衬底；位于衬底一侧的外延层；位于衬底与外延层之间的P型层；其中，P型层中具有空穴，当单粒子入射到该宽禁带半导体器件中后，外延层中会产生大量的非平衡载流子，从而产生极高的电流...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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