【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，尤其涉及一种辐照加固的过温保护电路、芯片及电子设备。
技术介绍
1、随着科技的发展，越来越多的芯片会工作在辐照环境下，基于辐照效应(例如，总剂量效应和单粒子效应)的存在，芯片会面临性能衰退、参数漂移甚至芯片失效的风险，因此，集成电路的辐照加固研究具有重要意义。在芯片的工作过程中，芯片的热耗是决定芯片性能的重要参数，基于此，过温保护电路被广泛集成于智能功率芯片、电源管理芯片等应用中。
2、现有技术中的过温保护电路，由于在辐照时存在的总剂量效应，会导致其过温阈值发生较大偏移，导致过温保护电路的稳定性和可靠性较低，无法确保芯片参数在辐照环境中的精度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种辐照加固的过温保护电路、芯片及电子设备，用于提高过温保护电路的稳定性和可靠性，确保芯片参数在辐照环境中的精度。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种辐照加固的过温保护电路，包括：并联的第一温度采样...
【技术保护点】
1.一种辐照加固的过温保护电路，其特征在于，包括：并联的第一温度采样模块和第二温度采样模块，以及分别与所述第一温度采样模块和第二温度采样模块电连接的过温信号生成模块，所述第一温度采样模块包括设置于芯片的第一区域的第一温度传感器，所述第二温度采样模块包括设置于所述芯片的第二区域的第二温度传感器，其中，在辐照环境中时所述第一温度传感器的过温阈值偏移量与所述第二温度传感器的过温阈值偏移量相同；
2.根据权利要求1所述的辐照加固的过温保护电路，其特征在于，所述第一温度传感器包括第一三极管，所述第二温度传感器包括第二三极管；
3.根据权利要求2所述的辐照...
【技术特征摘要】
1.一种辐照加固的过温保护电路，其特征在于，包括：并联的第一温度采样模块和第二温度采样模块，以及分别与所述第一温度采样模块和第二温度采样模块电连接的过温信号生成模块，所述第一温度采样模块包括设置于芯片的第一区域的第一温度传感器，所述第二温度采样模块包括设置于所述芯片的第二区域的第二温度传感器，其中，在辐照环境中时所述第一温度传感器的过温阈值偏移量与所述第二温度传感器的过温阈值偏移量相同；
2.根据权利要求1所述的辐照加固的过温保护电路，其特征在于，所述第一温度传感器包括第一三极管，所述第二温度传感器包括第二三极管；
3.根据权利要求2所述的辐照加固的过温保护电路，其特征在于，所述第一温度采样模块还包括依次电连接的第一电流源、第一分压电阻以及过温迟滞单元，其中：
4.根据权利要求3所述的辐照加固的过温保护电路，其特征在于，所述过温迟滞单元包括第二分压电阻和开关管，其中：
5.根据权利要求4所述的辐照加固的过温保护电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡小五，党建英，潘龙丽，葛维维，王谞芃，路玉，解亚菲，李博，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。