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一种高效率、高耐压肖特基芯片，属于半导体器件制造技术领域。包括顶部金属层（1）、顶部金属层（1）下方的肖特基界面（5）、紧靠肖特基界面（5）下方的多晶硅（2）、多晶硅外周的第一沟槽（3）、下部的N型外延层N-EPI（6）和N型基片N+Sub...
该专利属于淄博美林电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淄博美林电子有限公司授权不得商用。

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