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用于功率半导体装置的边缘终端结构制造方法及图纸
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下载用于功率半导体装置的边缘终端结构的技术资料
文档序号:8564029
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本发明提供了一种用于功率半导体装置的边缘终端结构。该功率半导体装置(或功率装置)包括:在其上具有外延层的基板;形成在该外延层中的基本上平行的有源沟槽阵列,其中该有源沟槽包括具有绝缘栅极导电层的晶体管结构;在有源沟槽附近的超结或屏蔽区域;在有...
该专利属于飞兆半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过飞兆半导体公司授权不得商用。
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