使用微波进行的U-MOS沟槽型面优化和蚀刻损伤移除制造技术

本申请案涉及使用微波进行的U-MOS沟槽型面优化和蚀刻损伤移除。本发明专利技术描述半导体装置和用于制作这些装置的方法。UMOS(U形MOSFET)半导体装置可通过如下方式形成：提供半导体衬底；使用湿式或干式蚀刻过程在所述衬底中形成沟槽；以及随后在低温下使用微波MW辐射所述沟槽结构。MW辐射过程改善了所述沟槽的型面且修复由所述干式蚀刻过程引起的对所述沟槽结构的损伤。所述微波辐射可有助于使所述半导体衬底中的Si或SiGe原子重新对准，且对在所述干式蚀刻过程之后存在的缺陷进行退火消除。而且，所述微波辐射可吸收在所述干式蚀刻过程中使用的保留在所述沟槽结构的晶格中的原子或离子。还描述其它实施例。

【技术实现步骤摘要】

本申请案大体上涉及半导体装置和用于制作这些装置的方法。更具体来说，本申请案描述含有沟槽结构的UMOS半导体装置，所述沟槽结构具有已使用微波辐射而优化的型面且已移除蚀刻损伤。
技术介绍
含有集成电路(IC)或离散装置的半导体装置在广泛多种电子设备中使用。IC装置(或芯片，或离散装置)包括已在半导体材料衬底的表面中制造的微型化电子电路。所述电路由许多重叠的层组成，包含含有可扩散到衬底中的掺杂剂的层(称为扩散层)，或含有植入到衬底中的离子的层(植入层)。其它层是导体(多晶硅或金属层)或导电层(通孔或接触层)之间的连接。IC装置或离散装置可以逐层的工艺来制造，所述工艺使用许多步骤的组合，包含生长层、成像、沉积、蚀刻、掺杂和清洁。硅晶片通常用作衬底，且使用光刻来将衬底的不同区域标记为经掺杂或沉积，且界定多晶硅、绝缘体或金属层。一种类型的半导体装置一金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)装置，可广泛用于许多电子设备中，包含汽车电子设备、磁盘驱动器和电源。一些MOSFET装置可形成于已在衬底中产生的沟槽中。使得沟槽配置较有吸引力的一个特征在于，电流垂直地流过MOSFET的沟道。与电流水平地流过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在半导体衬底中制作沟槽的方法，其包括：提供半导体衬底；使用湿式或干式蚀刻过程在所述衬底中形成沟槽；以及在低温下使用微波辐射所述沟槽。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特·J·珀特尔，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：