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本申请案涉及使用微波进行的U-MOS沟槽型面优化和蚀刻损伤移除。本发明描述半导体装置和用于制作这些装置的方法。UMOS(U形MOSFET)半导体装置可通过如下方式形成：提供半导体衬底；使用湿式或干式蚀刻过程在所述衬底中形成沟槽；以及随后在低...
该专利属于飞兆半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞兆半导体公司授权不得商用。

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