【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造技术，更具体地说，涉及一种。
技术介绍
随着半导体技术的发展，具有更高性能和更强功能的集成电路要求更大的元件密度，而且各个部件、元件之间或各个元件自身的尺寸、大小和空间也需要进一步缩小，因此，将各个部件及元件集成到有限的空间内也越来越具有挑战性，尤其是如何布局各部件间的 空间和优化集成工艺。栅极是晶体管器件最重要的部件，栅极的长度和宽度(栅长和栅宽)也决定了集成电路的集成密度，为了提高集成电路的集成密度，器件的栅长不断减小，如何提高器件的有效栅宽成为提高集成度和器件性能的重要问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种，提高了器件的有效栅宽，从而提高器件的集成度及性能。为实现上述目的，本专利技术实施例提供了如下技术方案一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有包括伪栅区的栅极结构以及源漏区；去除所述伪栅区，以暴露半导体衬底，并刻蚀暴露的半导体衬底，在暴露的半导体衬底上形成锯齿状表面，以形成底部为锯齿状的开口，所述锯齿状表面的锯齿沿着伪栅区宽度的方向交替；在锯齿状表面上形成填满所述开口的替代栅区，所述替...
【技术保护点】
一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有包括伪栅区的栅极结构以及源漏区；去除所述伪栅区，以暴露半导体衬底，并刻蚀暴露的半导体衬底，在暴露的半导体衬底上形成锯齿状表面，以形成底部为锯齿状的开口，所述锯齿状表面的锯齿沿着伪栅区宽度的方向交替；在锯齿状表面上形成填满所述开口的替代栅区，所述替代栅区的底部为锯齿状。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：梁擎擎，钟汇才，朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。