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本发明实施例公开了一种半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有包括伪栅区的栅极结构以及源漏区；去除所述伪栅区，以暴露半导体衬底，并刻蚀暴露的半导体衬底，在暴露的半导体衬底上形成锯齿状表面，以形成底部为锯齿状的开口，所述...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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