氮化物半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种氮化物半导体装置。氮化物半导体装置包括具有有缘区域(102A)的氮化物半导体层叠层体(102)、和呈指状的第一电极(131)及呈指状的第二电极(132)，该第一电极(131)和该第二电极(132)彼此留有间隔地形成在有缘区域(102A)上。在第一电极(131)上形成有与该第一电极(131)接触的第一电极布线(151)，在第二电极(132)上形成有与该第二电极(132)接触的第二电极布线(152)。形成有覆盖第一电极布线(151)和第二电极布线(152)的第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成有第一金属层(161)。第一金属层(161)隔着第二绝缘膜形成在有缘区域(102A)上，并与第一电极布线(151)连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种氮化物半导体装置，特别涉及一种具有形成在有缘区域上的电极垫的氮化物半导体装置。
技术介绍
III-V族氮化物半导体(以下称其为氮化物半导体。)是为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)及铟(In)等和为V族元素的氮(N)的化合物，形成通式为AlxGai_x_yInyN(在此，0彡1彡1、0彡7彡1且x+y ( I)的混晶。氮化物半导体的带隙较宽，其能带结构是直接跃迁型，因而该氮化物半导体应用于短波长光学元件中。因为氮化物半导体具有击穿电场较高且电子饱和速度较快的优点，所以正在进一步研究在电子器件中应用氮化物半导体。特别是下述异质结场效应晶体管(Hetero-junction Field EffectTransistor :以下称其为HFET)作为高输出功率型器件和高频器件正在被积极研发，该异质结场效应晶体管利用·出现于依次外延生长在半绝缘性衬底上的AlxGahN层(在此，O < X彡I)和GaN层之间的界面上的二维电子气(2Dimensional Electron Gas :以下称其为2DEG)。在HFET中，不但从载流子供给层即AlGaN肖特基层被供给电子，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：海原一裕，石田秀俊，上田哲三，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：