【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及集成电路(IC)存储设备领域。更具体地说，本专利技术涉及非易失性铁电随机存取存储器(F - RAM)装置以及用于制造镶嵌式自对准F — RAM的方法的领域，该方法允许形成与预先存在的三维(3D)晶体管结构对准的、具有分开的PZT层的铁电电容器。
技术介绍
根据世界半导体贸易统计协会(WSTS)，半导体市场在2010年到达了一个重要的里程碑，在行业历史上第一次公布了全球超过$3000亿(以美国美元计)的收益。特别地，存储器芯片部分在2010年中显示了最高的增长率，从2009年的$450亿增加到2010年的$710亿，表现出57%的年增长率。嵌入式存储设备提供了 2010年的整个半导体市场的23%以上。在这种背景下，对于更高处理能力的需求的增加推动了半导体行业开发具有更高运行速度的存储器装置，以便支持现代电子装置的性能。对于行业来说，特别在移动计算、智能仪表、射频识别(RFID)装置、办公设备以及需要非易失性数据存储器的其他应用的市场区域中，F-RAM的出现是一个有前景的选择。标准动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)装置...
【技术保护点】
一种结合形成在半导体衬底的平坦表面上的3D晶体管结构形成集成电路装置的方法，该方法包括：形成置于所述平坦表面上的绝缘层；选择性地去除所述绝缘层的一部分以及所述平坦表面的位于所述一部分下面的选定区域，以在所述晶体管结构上形成开口并且向所述晶体管结构暴露出第一接头和第二接头；在所述开口的侧面形成通向所述第一接头和所述第二接头的导电间隔件；在所述开口内在所述导电间隔件的内侧形成底部电极间隔件；在所述导电电极间隔件和所述底部电极间隔件之间、在所述开口的下部中形成绝缘盖；在所述开口中在所述绝缘盖上所述底部电极间隔件的内侧形成铁电间隔件；在所述开口中在所述绝缘盖上所述铁电间隔件的内侧形...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙山，托马斯·E·达文波特，约翰·克罗宁，
申请(专利权)人：瑞创国际公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。