【技术实现步骤摘要】
本专利技术揭露有关于一种具有提高数据保持及单元耐久性的闪存。具体而言，本专利技术有关于一种用于32纳米(nm)技术及更先进技术的闪存。
技术介绍
分离栅极闪存技术已被广泛使用在中低密度的应用。然而，现有分离栅极闪存结构的设计共同使用相同的沟道，用以进行读取、抹除及编程(或写入)操作，其将构成严重的可靠性问题如数据保持及单元耐久性。对于提高数据保持及增进耐久性的特点已作出努力，例如，如图IA所示的结构，包括源极区101、漏极区103及105、沟渠介电质107、沟道区109及111、浮动栅极113、以及控制栅极115，利用单独的沟道区109及111进行读取及编程。如图IB及图IC所示，读取操作使用左晶体管，而编程操作使用右晶体管。因此，该结构将不容易退化，因为有关于用于读取指定的沟道区并无适用于穿隧氧化层的编程应力，因此，与现有的结构相比能提供更佳的数据保持及单元耐久性。此种方法已被证实具有以下几个方面的问题。例如，如图ID所示，抹除操作使用两个晶体管。因此，抹除及读取操作都会在相同沟道上执行，使该读取指定沟道区承受抹除所引起的恶化。该写入指定沟道在读取操作期间亦可...
【技术保护点】
一种方法，包括：在基板上提供鳍状结构；邻近该鳍状结构的第一侧表面提供内存栅极堆叠；以及邻近该鳍状结构的第二侧表面提供选择栅极。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈学深，卓荣发，郭克文，
申请(专利权)人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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