半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明专利技术的半导体器件的制造方法包括以下步骤：提供半导体器件的衬底，所述衬底上形成有栅极结构和第一层间电介质层，所述栅极结构包括金属栅极，所述第一层间电介质层的上表面与所述栅极的上表面基本上齐平；形成界面层，以至少覆盖所述栅极的上表面，以保护所述栅极的上表面不被氧化；以及在所述界面层上形成第二层间电介质层。根据本发明专利技术，可以保护金属栅极在层间电介质(例如，氧化物)的沉积工艺中不被氧化；可以保护金属栅极在接触孔(contact?hole)蚀刻工艺过程中的抗蚀剂灰化(或含氧干法蚀刻)中不被氧化；和/或可以降低接触件的接触电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
如本领域技术人员所知的，对于诸如场效应晶体管的半导体器件的制造工艺，存在后形成栅极(gate-last)和先形成栅极(gate-first)方法。在后形成栅极的方法中，在衬底809上形成电介质层807和伪栅(dummy gate),优选在此进行轻掺杂区(LDD)注入，然后形成间隔件(spacer)803 ;在如此的伪栅的栅极结构的形成后，进行源区和漏区注入；然后形成第一层间电介质层805，并进行CMP，从而基本露 出伪栅的上表面；去除伪栅；然后形成栅极电介质层和金属栅极，例如通过沉积栅极电介质(在某些实施例中，其可以是高K电介质)和金属栅极材料，之后进行CMP从而形成栅极801 ;对栅极进行层间电介质的重覆盖；之后形成接触孔，如图8所示。类似地，先形成栅极的方法与常规的多晶硅栅极器件的方法类似。在衬底809上形成电介质层807和栅极801，优选在此进行LDD注入，形成间隔件803 ;在如此的栅极结构的形成之后，进行源区和漏区注入；形成第一层间电介质层805覆盖栅极；之后形成接触孔，也如图8所示。通常，第一层间电介质层把栅极覆盖住主本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供半导体器件的衬底，所述衬底上形成有栅极结构和第一层间电介质层，所述栅极结构包括金属栅极，所述第一层间电介质层的上表面与所述栅极的上表面基本上齐平；在所述衬底上形成界面层，以至少覆盖所述栅极的上表面，以保护所述栅极的上表面不被氧化；以及在所述界面层上形成第二层间电介质层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新鹏，黄怡，张世谋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：