【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种调整用于NMOS的高k金属栅结构中的功函数金属层的功函数的方法。
技术介绍
随着集成电路制造技术的不断革新，集成电路中的各种元件的尺寸不断缩小，同时功能化密度不断增大。在按比例缩小的原则下不断发展的集成电路制造技术提高了生产效率，降低了制造成本；同时，也带来了高功耗的问题。通过应用具有低功耗特点的半导体器件，例如互补金属氧化物半导体(CMOS)，可以解决上述高功耗的问题。典型的CMOS包括栅氧化物和多晶硅栅极。由于半导体器件特征尺寸的不断减小，用高k栅介电质和金属栅极分别替代CMOS中的栅氧化物和多晶硅栅极，可以改善CMOS器件的性能。然而，用于NMOS和PMOS的高k金属栅结构中的功函数金属层的功函数是不同的，用于PMOS的所述功函数金属层的功函数的范围为4. 9-5. 2eV ;用于NMOS的所述功函数金属层的功函数的范围为3.9-4. IeV0在用于PMOS的功函数金属层的传统形成工艺中，通常选用钛铝合金(TiAl)作为所述功函数金属层的材料，当选用钛铝合金作为用于NMOS的功函数金属层的材料时，调整其具有的功...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构包括牺牲栅电极层，且在所述虚拟栅极结构的两侧形成有紧靠所述虚拟栅极结构的间隙壁结构；去除所述牺牲栅电极层，以在所述间隙壁结构的中间形成一栅沟槽，且在所述栅沟槽中依次形成第一功函数金属层和第二功函数金属层；执行一退火处理，以在所述栅沟槽中形成一合金层；实施金属栅的回填。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：平延磊，鲍宇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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