【技术实现步骤摘要】
石墨烯透明导电薄膜的叠层转移工艺及制造的器件
本专利技术属于微电子
，涉及半导体材料的生长方法，特别是一种超净高导电性石墨烯透明导电薄膜的叠层转移技术，可用于制作基于叠层石墨烯的超净高导电性透明导电薄膜，可用于功率器件、太阳能电池及高亮度LED等领域。技术背景近年来，随着新一代显示技术、新型太阳能技术的发展，人们对于光电子器件的性能要求越来越高，比如在保证高的导电性基础上，要求电极对可见光和红外光全透明，提高光电转换效率，要求器件具有一定的柔韧性，从而提升器件的性能和产品的品质。因此，柔性全透明导电薄膜研究一直以来都是相关领域的研究热点。传统的透明导电薄膜材料主要是以氧化铟锡(ITO)为代表，其可见光波长透过率超过80%，一般表面电阻约100 Ω/□，其制备多采用磁控溅射，成本较低，成膜面积较高，质量稳定。但是ITO导电薄膜的缺点是迁移率不高，且不能弯曲，无法实现柔性显示，另外，随之金属铟矿源的逐渐枯竭，其成本也随之升高。因而，人们开始寻找性能相似且成本低廉的替代材料，并在相关领域取得了显著的成就，比如氧化铟、氧化镓、氧化锡和氧化锌的三元或四元化合物，其...
【技术保护点】
一种超净高导电性石墨烯透明导电薄膜的叠层转移工艺，其特征在于，采用Cu箔衬底CVD外延制备单层石墨烯，然后进行支撑层石墨烯的PMMA甩胶，接着进行Cu衬底湿法腐蚀，最后直接转移至次层石墨烯上，依次重复，直至得到最终叠层石墨烯。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王东，宁静，张春福，张进成，韩砀，闫景东，柴正，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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