半导体分立器件晶圆级封装的磷穿透工艺方法技术

一种半导体分立器件晶圆级封装的磷穿透工艺方法，工艺步骤：采用磷扩散工艺3′(N2)+19′(N2+POCl3)+5′(N2)技术在预留的磷穿透区域进行磷预扩散；采用常规氧化扩散工艺10′(O2)+（20~120）′(O2+H2)+10′(O2)进行磷再扩散工艺，将设计好的穿透区域扩散出预订电阻值(0.8~20.0Ω)的磷掺杂区域，实现芯片背面电极引至正面。本发明专利技术通过磷穿透工艺技术将分立器件不同表面的电极引至同侧，使分立器件芯片直接使用于整机成为可能。该工艺将分立器件产品制作成理论最小尺寸，进而进一步加快电子产品小型化、便携化的进程。同时减少了芯片封装二次加工环节，大大提升器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体分立器件实现晶圆级封装(WLP)
，特别涉及使用磷穿透工艺技术实现分立器件相对两个表面的电极引至同一面，实现芯片能够直接使用的技术，具体说是一种。
技术介绍
磷穿透工艺技术是晶圆级封装(WLP)产品的关键工艺，使用该工艺后能够将晶圆级封装(WLP)产品要求的芯片不同表面的电极制作在同侧，实现芯片能够直接使用于整机，减少封装二次加工，降低材料消耗、缩短芯片制造流程。随着电子产品小型化、便携化需求的不断提升，芯片体积不断缩小已是目前电子元器件发展的方向，晶圆级封装(WLP)产品将使芯片体积减小到最小值，进一步推进电子产品小型化、便携化的进程。同时该技术应用生产的产品可靠性由于减少芯片二次封装加工环节将得到大大提升。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种能实现分立器件晶圆级封装的。本专利技术的技术问题采用如下技术方案解决一种，包括以下步骤 a )重新设计分立器件的结构在常规分立器件局部或本体的周边设计磷穿透区域，为磷穿透工艺技术预留空间；b )采用磷扩散工艺3' (N2)+19' (N2+P0C13)+ 5' (N2)技术在预留的磷穿透区域进行磷预扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体分立器件晶圆级封装的磷穿透工艺方法，其特征在于包括以下步骤：a？）重新设计分立器件的结构：在常规分立器件局部或本体的周边设计磷穿透区域，为磷穿透工艺技术预留空间；？b？）采用磷扩散工艺3′(N2)+19′(N2+POCl3)+？5′(N2)，在预留的磷穿透区域进行磷预扩散；？c？）采用常规氧化扩散工艺10′(O2)+（20~120）′(O2+？H2)+？10′(O2)进行磷再扩散工艺，将设计好的穿透区域扩散出预订电阻值(0.8~20.0Ω)的磷掺杂区域，实现芯片背面电极引至正面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐谦刚，蒲耀川，王武汉，李昊，张晓情，张静，薛琳，
申请(专利权)人：天水天光半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：