【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及肖特基(Schottky)势垒二极管的制造方法，特别提供了一种能够降低反向漏电流的肖特基(Schottky) NiCr势鱼二极管低温合金制造方法。
技术介绍
肖特基(Schottky)势鱼二极管是利用金属与半导体之间接触势鱼进行工作的一种多数载流子器件。是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。由于肖特基二极管与普通的P-N结构二极管相比，具有正向压降小，速度快等特 点，在通常情况下，一般采用金属一半导体接触来形成肖特基势垒，但是由于金属与半导体接触时，接触界面之间SiO2层的存在，使得接触电阻和表面态密度明显增大，致使器件的性能大大降低，为了解决这个问题，人们采用一项新工艺技术一金属硅化物-硅接触势垒工艺，形成了非常可靠且重复的肖特基势垒。肖特基二极管要求对电参数反向漏电流IR和正向导通电压VF进行精确控制。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种肖特基二极管NiCr势垒低温合金的制造方法，该方法对NiCr合...
【技术保护点】
肖特基二极管NiCr势垒低温合金制造方法，所述制造方法的工艺流程为：场氧化——>光刻P+——>P+注入——>P+推结——>光刻引线孔——>溅射NiCr——>NiCr合金——>扒NiCr——>正面蒸发——>金属光刻——>金属腐蚀——>背面减薄——>背面蒸发，其特征在于：NiCr合金条件为150℃，30分钟，N2气氛围。
【技术特征摘要】
1.肖特基二极管NiCr势垒低温合金制造方法，所述制造方法的工艺流程为场氧化——> 光刻P+——>P+注入——>P+推结——> 光刻引线孔——> 溅射NiCr——>NiCr合金-> 扒NiCr->正面蒸发-> 金属光刻-...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐冬，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十七研究所，
类型：发明
国别省市：
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