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本发明的目的在于提供一种肖特基二极管NiCr势垒低温合金的制造方法，所述制造方法的工艺流程为：场氧化、光刻P+、P+注入、P+推结、光刻引线孔、溅射NiCr、NiCr合金、扒NiCr、正面蒸发、金属光刻、金属腐蚀、背面减薄、背面蒸发，其特征...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十七研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十七研究所授权不得商用。

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