一种O.J二极管生产工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种O.J二极管生产工艺，其创新点在于所述步骤为：在硅片镀镍后涂覆光阻胶；在硅片的N+面光刻图形；利用硅片N+面的图形作为划片下刀参考线进行划片；对划片后的芯片台面进行酸腐蚀；去除表面的光阻胶再次镀镍；然后经焊接、碱洗、梳条以及其他常规工序完成二极管制作。对光阻胶保护的芯片进行酸腐蚀，去除划片过程对芯片造成的损伤；在酸腐蚀后去除光阻胶进行焊接，焊接后进行碱洗，避免了酸洗时焊料、引线中的金属物质与酸反应影响芯片腐蚀速率；省去大量清洗的过程，节约了资源。同时，由于没有金属离子吸附在芯片表面，避免产品的电性衰降和高温下发生热击穿等故障，电性良率较传统的96%提高至98%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种ニ极管生产エ艺，特别涉及ー种O. J ニ极管生产エ艺。
技术介绍
传统的PN结裸露ニ极管(Open Junction,简称O. J芯片)采用芯片(主要成份硅)，焊料(主要成份铅、锡、银)和引线(主要成份铜)进行高温焊接，再对芯片表面的酸洗处理。在酸洗过程中，焊料和引线中的金属物质会混合酸发生反应，影响芯片腐蚀速率。另夕卜，这些金属与酸反应生成的金属离子(或原子)会以化学键的方式附着在芯片表面，后エ序需要使用大量的纯水和化学试剂进行清洗。这样的清洗不但消耗了大量的资源，并且对附着在芯片表面的铜原子无法彻底清洗。铜原子附着在芯片的表面，会导致产品的电性衰降和高温下发生热击穿等故障，这也是O. J ニ极管的最大品质“瓶颈”。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种能够将芯片腐蚀带来的杂质污染降到最低，并且很大程度的降低清洗成本O. J ニ极管生产エ艺。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为ー种O. J ニ极管生产エ艺，其创新点在于所述步骤为在硅片P+、N+面完成镀镍后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻胶；在硅片的N+面光刻图形，通过曝光和显影，图形间间隙处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种O.J二极管生产工艺，其特征在于所述步骤为：在硅片P+、N+面完成镀镍后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻胶；在硅片的N+面光刻图形，通过曝光和显影，图形间间隙处光阻胶被去除；划片，利用硅片N+面的图形间间隙作为划片下刀参考线进行划片；对划片后的芯片台面进行酸腐蚀，去除划片过程对芯片造成的损伤，由于光刻图形作用使芯片台面形成正斜角结构；去除表面的光阻胶，并再次镀镍；将芯片的N+面和P+面分别通过焊料焊接引线；然后经碱洗、梳条后进行上胶、胶固化，再经模压、后固化、电镀，最后经测试合格后印字、包装。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宇，
申请(专利权)人：如皋市大昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：