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本发明涉及一种O.J二极管生产工艺，其创新点在于所述步骤为：在硅片镀镍后涂覆光阻胶；在硅片的N+面光刻图形；利用硅片N+面的图形作为划片下刀参考线进行划片；对划片后的芯片台面进行酸腐蚀；去除表面的光阻胶再次镀镍；然后经焊接、碱洗、梳条以及其...
该专利属于如皋市大昌电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过如皋市大昌电子有限公司授权不得商用。

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