一种处理二极管的方法和二极管技术

本发明专利技术实施例涉及半导体技术领域，特别涉及处理二极管的方法和二极管，该方法用于在包含第一杂质的衬底上形成场氧化区、有源区和过渡区；其中，所述场氧化区和有源区之间为过渡区；沉积多晶硅后，通过刻蚀工艺在所述有源区内形成栅极层，以及形成覆盖所述过渡区的阻挡层；进行第二杂质注入形成二极管。使用本发明专利技术实施例提供的处理二极管的方法和二极管，在过渡区上覆盖阻挡层后再注入第二杂质，使得该第二杂质无法进行过渡区对应的衬底内，由此形成的二极管极其接近理想状态的PN结，从而整体提高了二极管的性能，降低了反向漏电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种处理二极管的方法和二极管。
技术介绍
在集成电路设计中，常常设计一个PN结形成的二极管作为电路输入端和输出端(In/Out)的ESD(Electro-Static discharge,静电放电)的保护结构。该结构是利用二极管的正向导通和反向截止的特性，例如在发生瞬间静电放电的时候，二极管正向导通，并将高压大电流释放到接地端，从而避免ESD产生的大电流进入的电路内部，烧毁器件；当没有发生静电放电的时候，该二极管需要反向截止，并且要求反向漏电要足够的小，以保证电路的输入输出信号正常的工作。因此，如何使得在处理二极管的过程中，尽可能地减小反向漏电量，从而整体提高了二极管的性能，是业界一直努力想要解决的一个问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供的一种处理二极管的方法和二极管，用以降低二极管的反向漏电量，从而提高了二极管的整体性能。本专利技术实施例提供的一种处理二极管的方法，包括在包含第一杂质的衬底上形成场氧化区、有源区和过渡区；其中，所述场氧化区和有源区之间为过渡区；沉积多晶硅后，通过刻蚀工艺在所述有源区内形成栅极层，以及形成覆盖所述过渡区的阻挡层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理二极管的方法，其特征在于，该方法包括：在包含第一杂质的衬底上形成场氧化区、有源区和过渡区；其中，所述场氧化区和有源区之间为过渡区；沉积多晶硅后，通过刻蚀工艺在所述有源区内形成栅极层，以及形成覆盖所述过渡区的阻挡层；进行第二杂质注入形成二极管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶文正，赵宇，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：