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本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及处理二极管的方法和二极管，该方法用于在包含第一杂质的衬底上形成场氧化区、有源区和过渡区；其中，所述场氧化区和有源区之间为过渡区；沉积多晶硅后，通过刻蚀工艺在所述有源区内形成栅极层，以及形成覆盖所述过渡...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。