一种二极管的光电测试方法技术

本发明专利技术公开了一种二极管的光电测试方法，属于二极管领域。所述方法包括：确定二极管的晶圆测试间距；在待测二极管的晶圆划裂前，按所述测试间距在待测二极管的晶圆上选取待测芯片；对选取的各个所述待测芯片分别进行光电测试；所述对选取的各个所述待测芯片分别进行光电测试，包括：将第一测试探针接入当前的所述待测芯片的P电极；将第二测试探针接入第一芯片的N电极，所述第一芯片与所述待测芯片均处于所述待测二极管的晶圆上；向所述第一测试探针和所述第二测试探针通入额定电流或额定电压；采用测量设备对所述待测芯片的光电参数进行检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二极管领域，特别涉及一种二极管的光电测试方法。
技术介绍
随着氮化镓基化合物发光二极管(英文：Lighting Emitting Diode，简称：LED)在显示及照明领域的广泛应用，最近几年LED的需求数量呈现出几何级数增加，这就对LED的生产效率和生产质量提出了更高要求。在LED等二极管的制造过程中，需要对二极管的晶圆进行光电测试，测试时，需要采用测试探针同时扎到晶圆上芯片的N、P电极上进行完整的光电性能测试，测试每颗芯片时需要通多次电流。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：测试时，由于芯片尺寸小，造成两测试探针的距离过近，相近的测试探针在高电压下极易出现短路，从而导致测试探针烧熔，增加生产成本；同时，由于测试探针扎到芯片N、P电极上时，测试探针会挡住芯片部分发光区，从而影响测试的准确性。
技术实现思路
为了解决现有技术中测试探针在测试时易烧熔，增加生产成本，且测试探针会挡住芯片部分发光区，影响测试的准确性的问题，本专利技术实施例提供了一种二极管的光电测试方法。所述技术方案如下：本专利技术实施例提供了一种二极管的光电测试方法，适用于二极管的晶圆测试，所述二极管的晶圆包括多个芯片，所述方法包括：确定二极管的晶圆测试间距；在待测二极管的晶圆划裂前，按所述测试间距在待测二极管的晶圆上选取待测芯片；对选取的各个所述待测芯片分别进行光电测试；所述对选取的各个所述待测芯片分别进行光电测试，包括：将第一测试探针接入当前的所述待测芯片的P电极；将第二测试探针接入第一芯片的N电极，所述第一芯片与所述待测芯片均处于所述待测二极管的晶圆上；向所述第一测试探针和所述第二测试探针通入额定电流或额定电压；采用测量设备对所述待测芯片的光电参数进行检测。在本专利技术实施例的一种实现方式中，所述待测芯片在待测二极管的晶圆上间隔或连续分布。在本专利技术实施例的一种实现方式中，所述第一芯片与所述待测芯片相邻分布。在本专利技术实施例的一种实现方式中，所述第一芯片与所述待测芯片间隔分布。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述第一芯片与所述待测芯片间隔一颗芯片。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述待测二极管为发光二极管。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述采用测量设备对所述待测芯片的光电参数进行检测，包括：采用电学测量设备测量所述待测芯片的电学参数；采用光学测量设备测量所述待测芯片的光学参数。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述电学参数包括：开启电压Vfin、工作电压Vf、反向漏电流Ir和反向击穿电压Vr。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述光学参数包括：亮度Iv、主值波长Wd、峰值波长Wp、半波长HW、CIE色度x坐标CIE-x和CIE色度y坐标CIE-y。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过对待测芯片进行测试时，将第一测试探针接入待测芯片的P电极，将第二测试探针接入第一芯片的N电极，第一芯片与待测芯片均处于待测二极管的晶圆上，然后向两个测试探针通入额定电流或额定电压，采用测量设备对待测芯片的光电参数进行检测；由于一个晶圆上的多个芯片在未经过划裂分离前，其外延N层是相通的，只不过P层是分开的，因此即使将探针与其他芯片的N电极相连，也能够正常测试待测芯片的光电参数，将两测试探针接在不同的芯片上，增加了两测试探针的距离，避免了两测试探针的距离过近时，相近的测试探针在高电压下极易出现短路，从而避免了测试探针烧熔的问题，节省了生产成本；另外，将两测试探针接在不同的芯片上，减少了测试探针挡住芯片发光区的面积，提高了测量结果的准确性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的二极管的晶圆的结构示意图；图2是图1提供的二极管的晶圆的A部分的局部放大图；图3是本专利技术实施例提供的二极管的光电测试方法的流程图；图4是本专利技术实施例提供的二极管的光电测试方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。为了便于实施例的描述，下面先简单介绍一下二极管的晶圆，在本实施例中，晶圆是指在衬底上生长的外延片经过芯片前段工艺加工后得到的晶片，其中芯片前段工艺是指光刻、薄膜、清洗三个工艺流程。也就是说，本实施例中的晶圆是指划片裂片工艺之前的晶圆。如图1所示，晶圆10的外部为圆形，一个二极管的晶圆包括多个芯片。具体地，以晶圆10的其中一个部分A为例，如图2所示，晶圆10上设有多个芯片20，每个芯片20包括P电极21和N电极22。经过芯片前段工艺后，每颗芯片20上的P电极21是独立的，而每颗芯片20上的N电极22是连通的。本专利技术提供的二极管的光电测试方法适用于所有尺寸芯片，尤其适用于小尺寸芯片的光电测试，如5.5mil芯片。实施例本专利技术实施例提供了一种二极管的光电测试方法，适用于二极管的晶圆测试，参见图2和图3，该方法包括：步骤101：确定二极管的晶圆测试间距。根据生产需要，确定二极管的晶圆测试间距。大多数芯片厂商在进行二极管测试时，都是对二极管的晶圆上的芯片进行抽样测试，并不是每一颗都要测。只是不同芯片厂商所要求测试的芯片数量不同而已，即选取不同间距来进行抽样。步骤102：在待测二极管的晶圆划裂前，按该测试间距在待测二极管的晶圆上选取待测芯片。其中，测试间距可以根据实际需要选取，例如，按该测试间距在待测二极管的晶圆上选取的待测芯片可以是连续地分布在待测二极管的晶圆上的，也可以是间隔地分布在待测二极管的晶圆上的。步骤103：对选取的各个待测芯片分别进行光电测试。在本实施例中，步骤103可以采用下述方式实现：步骤1031：将第一测试探针接入当前的待测芯片的P电极。步骤1032：将第二测试探针接入第一芯片的N电极，第一芯片与待测芯片均处于待测二极管的晶圆上。步骤1033：向第一测试探针和第二测试探针通入额定电流或额定电压。步骤1034：采用测量设备对待测芯片的光电参数进行检测。在本专利技术实施例的一种实现方式中，第一芯片与待测芯片相邻分布，此时第一测试探针与第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管的光电测试方法，适用于二极管的晶圆测试，所述二极管的晶圆包括多个芯片，所述方法包括：确定二极管的晶圆测试间距；在待测二极管的晶圆划裂前，按所述测试间距在待测二极管的晶圆上选取待测芯片；对选取的各个所述待测芯片分别进行光电测试；其特征在于，所述对选取的各个所述待测芯片分别进行光电测试，包括：将第一测试探针接入当前的所述待测芯片的P电极；将第二测试探针接入第一芯片的N电极，所述第一芯片与所述待测芯片均处于所述待测二极管的晶圆上；向所述第一测试探针和所述第二测试探针通入额定电流或额定电压；采用测量设备对所述待测芯片的光电参数进行检测。

【技术特征摘要】
1.一种二极管的光电测试方法，适用于二极管的晶圆测试，所述二极管的
晶圆包括多个芯片，所述方法包括：
确定二极管的晶圆测试间距；
在待测二极管的晶圆划裂前，按所述测试间距在待测二极管的晶圆上选取
待测芯片；
对选取的各个所述待测芯片分别进行光电测试；
其特征在于，所述对选取的各个所述待测芯片分别进行光电测试，包括：
将第一测试探针接入当前的所述待测芯片的P电极；
将第二测试探针接入第一芯片的N电极，所述第一芯片与所述待测芯片均
处于所述待测二极管的晶圆上；
向所述第一测试探针和所述第二测试探针通入额定电流或额定电压；
采用测量设备对所述待测芯片的光电参数进行检测。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测芯片在待测二极管
的晶圆上间隔或连续分布。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一芯片与所述待测芯
片相邻分布。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建南，周武，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32