发光二极管芯片及其制作方法技术

本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、钝化层和反射结构，第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层依次层叠，第二半导体层具有从第二半导体层的远离多量子阱层的表面向第一半导体层延伸的台面；钝化层覆盖第二半导体层的表面、台面的底部和台面的侧壁；反射结构包括多个凸起，多个凸起分布在台面的底部的钝化层的表面。本公开实施例能提高LED芯片的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，特别涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。

技术介绍

1、发光二极管(light emitting diode，led)因具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，目前已经被广泛应用于背光、照明、景观等各个光源领域。

2、相关技术中，led芯片包括依次层叠的衬底、第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，第二半导体层的远离衬底的表面具有露出第一半导体层的台面(mesa)，台面的底部和台面的侧壁为粗化结构。

3、然而，在台面的底部和台面的侧壁形成粗化结构时，一般需要采用湿刻蚀工艺，刻蚀时可能对第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层造成损伤，影响led芯片的质量。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，能提高led芯片的发光效率。所述技术方案如下：

2、一方面，提供了一种发光二极管芯片，包括第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、钝化层和反射结构，所述第一半导体层、所述多量子阱层和所述第二半导体层依次层叠，所述第二半导体层具本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括第一半导体层(20)、多量子阱层(30)、第二半导体层(40)、钝化层(50)和反射结构，

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凸起(60)为金属凸起。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凸起(60)的材料为Ag、Al或Au。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，相邻的所述凸起(60)之间的距离为0.5μm至30μm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凸起(60)的高度平齐于或者低于所述第二半导体层(40)的远离所述多量...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括第一半导体层(20)、多量子阱层(30)、第二半导体层(40)、钝化层(50)和反射结构，

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凸起(60)为金属凸起。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凸起(60)的材料为ag、al或au。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，相邻的所述凸起(60)之间的距离为0.5μm至30μm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凸起(60)的高度平齐于或者低于所述第二半导体层(40)的远离所述多量子阱层(30)的表面。

6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凸起(60)为圆柱状凸起、长方体状凸起或三棱柱状凸起。

7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凸起(60)的平行于所述第二半...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆，张美，杭伟，王洪占，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：