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本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、钝化层和反射结构，第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层依次层叠，第二半导体层具有从第二半导体层的远离多量子阱...
该专利属于华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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