【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于制备钥铜合金领域，具体涉及一种制备钥铜合金的低温轧制方法。
技术介绍
钥铜合金是由钥和铜元素组成的一种假合金材料，由于其同时具有低膨胀系数和良好的导电和导热性等特性，在电器元件、半导体封装、电子等行业得到普遍应用，近年来又在大功率LED照明芯片行业得到重视，具有很大的潜在市场。但是，在半导体封装行业、电子和大功率LED照明行业使用的钥铜合金箔片零件，由于要求密度大，一般要求大于理论密度的99. 5% ;厚度薄，一般为80-200微米，且厚度公差要求在5微米范围内，零件表面粗糙度要求在RaO. 08以下。然而，采用目前现有的工艺方法难以实现这些技术要求。 现有的钥铜合金箔片材料加工的主要技术有如下两种方法(I)对采用粉末冶金方法制成的烧结坯，直接进行切割，然后采用单面磨或双面磨的方法制成所需厚度和表面粗糙度的钥铜合金箔片零件。该技术存在材料利用率低，投料产出比一般不大于50%，且采用此技术生产的钥铜箔片零件仍然存在内部孔隙，零件实际密度一般在92-95%之间，远低于理论密度等多种问题。(2)在高于铜的再结晶温度，利用锻压、轧制、压制等机械方法对钥铜合...
【技术保护点】
一种制备钼铜合金箔材的方法，包括以下步骤：（1）采用常规方法制备钼铜合金烧结坯料；（2）将钼铜合金坯料预热至40？300℃，并且保温5？30min待用；（3）将轧机的轧辊预热至40？80℃；（4）将预热好的钼铜合金坯料在轧机上进行轧制，制得钼铜合金箔材。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，
申请(专利权)人：上海瑞钼特金属新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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