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一种半导体分立器件晶圆级封装的磷穿透工艺方法，工艺步骤：采用磷扩散工艺3′(N2)+19′(N2+POCl3)+5′(N2)技术在预留的磷穿透区域进行磷预扩散；采用常规氧化扩散工艺10′(O2)+（20~120）′(O2+H2)+10′(O...
该专利属于天水天光半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过天水天光半导体有限责任公司授权不得商用。

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