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本发明公开了一种超净高导电性石墨烯透明导电薄膜的叠层转移工艺，以降低层间PMMA光刻胶的残余，提升石墨烯透明导电薄膜的电学性能。采用Cu箔衬底CVD外延制备单层石墨烯，然后进行支撑层石墨烯的PMMA甩胶，接着进行Cu衬底湿法腐蚀，最后直接转...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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