鳍形半导体结构的制造方法技术

本申请公开了一种鳍形半导体结构的制造方法，包括：提供半导体基板，该半导体基板上具有半导体岛与介电层；在该半导体岛及该介电层上形成罩幕层；在该罩幕层内形成开口，该开口露出该半导体岛的顶面以及邻近该半导体岛的该介电层的部分顶面；施行蚀刻程序，同时蚀刻该罩幕层的一部分以及由该开口露出的该部分半导体岛与该介电层；以及移除该罩幕层与该介电层，在该半导体基板上留下具有圆滑化顶面及不同厚度的、经蚀刻的半导体岛。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体的制作，特别涉及一种。
技术介绍
因超大规模集成电路(ULSI)的高密度与效能表现的需求逐渐增加，因此，对于小于100奈米的闸极长度相关的设计构件(design features)、高可靠度及增加制程产能的需求也愈见迫切。传统设计构件方法在闸极长度小于100奈米有其限制。例如，传统平面型金氧半导体场效晶体管(planar MOSFETs)的闸极长度小于100 奈米时，容易发生短通道效应相关问题，如源极与汲极间过度漏电的情形。另外，迁移率劣化(mobility degradation)及制程上的限制也使得微缩已知金氧半导体场效晶体管更加不易克服。因此，需要发展新的组件结构，以改善场效晶体管效能表现并达成进一步的组件微缩。鳍形场效晶体管(FinFET)为最近发展的一种新颖结构，其具有极佳的短通道效应表现。鳍形场效晶体管包括了位于垂直型鳍形半导体结构内的信道。鳍形场效晶体管可采用与已知平面型金氧半导体场效晶体管的布局及制程相似的技术而制成。然而，由于形成鳍形半导体结构的蚀刻程序内的蚀刻终点未能利用传统干涉计终点(interferometer end point, IE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍形半导体结构的制造方法，包括：提供半导体基板，所述半导体基板上具有半导体岛与介电层；在所述半导体岛及所述介电层上形成罩幕层；在所述罩幕层内形成开口，所述开口露出所述半导体岛的顶面以及邻近所述半导体岛的所述介电层的部分顶面；施行蚀刻程序，同时蚀刻所述罩幕层的一部分以及由所述开口露出的部分半导体岛与所述介电层；以及移除所述罩幕层与所述介电层，在所述半导体基板上留下具有圆滑化顶面及不同厚度的、经蚀刻的半导体岛。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：林智清，陈逸男，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：