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本申请公开了一种鳍形半导体结构的制造方法，包括：提供半导体基板，该半导体基板上具有半导体岛与介电层；在该半导体岛及该介电层上形成罩幕层；在该罩幕层内形成开口，该开口露出该半导体岛的顶面以及邻近该半导体岛的该介电层的部分顶面；施行蚀刻程序，同...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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